SHF 1T-OTP面向使用40纳米、28纳米、20纳米以及更加小工艺尺寸的系统级芯片;Sidense 1T-OTP已被领先半导体制造商普遍应用于40纳米和28纳米芯片设计　　Marketwired2013年7月31日加拿大渥太华消息/明通新闻专线/--　　领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)重复使用可编程(OTP)知识产权(IP)内核开发商Sidense今日发售SHF(Sidense Hiper Fuse)重复使用可编程(OTP)存储器，这种存储器限于于使用40纳米、28纳米、20纳米以及更加小几何尺寸先进设备工艺的集成电路。Sidense SHF 1T-OTP已取得应用于G和LP两种40纳米工艺技术的资质证书，且正在展开应用于多种28纳米工艺技术的资质证书，应用于20纳米工艺技术的资质证书也将随后展开。

　　取得合适40纳米和28纳米工艺技术的SHF许可的客户还包括为移动、消费和计算出来应用于研发产品的一些领先半导体公司。SHF的用途还包括程序储存、现场可编程只读存储器(ROM)替代、安全性加密密钥存储、配备、保险丝替代、调整和校准等。　　SHF使使用40纳米和更加先进设备工艺技术开发硅芯片产品的客户取得了用途普遍的Sidense 1T-OTP存储器的优势。

除占用空间小外，SHF宏在多晶硅或低K金属栅(HKMG)先进设备工艺技术(再行栅极和后栅极)中需要额外的掩模或工艺步骤，获取了一种低成本效益的嵌入式存储器解决方案。与其他类型的非易失性存储器比起，Sidense享有专利的单晶体管比特单元在安全性和可靠性上也具备许多优势。　　Sidense SHF还为客户带给了更加多的优势，还包括针对就地执行程序的较慢编程与较慢加载性能、在-40C至125C温度范围的读写操作和为低安全性应用于获取内置校验、编程与测试模块、数据流、程序控制、自测和反对等的全面特性。

现场编程还可用于一系列电源选项，反对供电脆弱型的高性能计算出来与移动应用于。　　Sidense创始人、首席技术官Wlodek Kurjanowicz回应：与我们所有的非易失性存储器产品一样，SHF宏基于我们享有专利的单通道拆分1T-Fuse(TM)比特单元架构，这种架构有助Sidense为普遍的应用于获取安全性、可信和低成本效益的现场可编程OTP产品。

SHF是为设计低电压和高性能产品的尖端客户研发的，这些产品必须使用最先进设备的工艺技术和完备的非易失性存储器解决方案。　　SHF非易失性存储器享有高达1Mbit的多种多样的1T-OTP宏配备，而且可多次展开规模更大的配备。

欲了解有关产品特性及产品供应的下文，请求联络Sidense：info@sidense.com ，或采访我们的网站：www.sidense.com/products/shf.html。　　关于Sidense公司　　Sidense公司获取用作标准逻辑CMOS工艺的高密度、高可靠性和低安全性的非易失性重复使用可编程(OTP)逻辑非易失性存储器(LNVM)智权(IP)。公司早已取得或正在申请人的专利多达115项，公司获取基于创新型1T-Fuse(TM)比特单元的OTP存储器IP许可，1T-Fuse是较低至20纳米的硅芯片技术，生产过程不必须额外的掩模或工艺步骤。

与存储器、凌模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技术比起，Sidense 1T-OTP宏获取了一个更佳的现场可编程、高可靠性和低成本效益的解决方案，合适程序储存、密钥、模拟信号调整和设备配备等多种用途。　　目前有100多家公司，还包括许多无厂半导体制造商和IDM厂商，已使用Sidense 1T-OTP作为300多种芯片设计的NVM解决方案。客户日益认识到，该解决方案能明显降低成本和能耗，还为从移动和消费电子设备到高温、高可靠性的汽车和工业电子设备等应用于获取了更佳的安全性和可靠性。

该IP被获取给所有顶级半导体晶圆厂和精选辑的IDM厂商并获得它们的反对。Sidense总部在加拿大渥太华，并在世界各地另设销售办事处。理解更加多下文，请求采访：www.sidense.com。

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