SuVolta 的 DDC 技术可提升性能、减少总功耗　　Marketwire加州洛斯特托斯和日本横滨，2013 年 9 月 5 日/明通新闻专线/--SuVolta, Inc. 与 Fujitsu Semiconductor Limited 日前宣告，将批量生产首款基于 Deeply Depleted Channel (DDC-深度消耗闸极) 晶体管的芯片，MB86S22AA Milbeaut 图像处理器集成电路 (IC)。该款产品基于 CS250S 技术生产，并融合了 Fujitsu Semiconductor 的 55nm 工艺与 DDC 技术，与现有产品比起该 IC 享有大约两倍的处置性能，并且同时增加了30% 的功耗，尽管该新产品享有更好的电路以及强化的处置性能。

MB86S22AA 代表了两家公司之间顺利的联合开发项目转入高潮。通过合作，两家公司于是以大大提升其在超强低功耗、高性能产品方面的能力。　　Fujitsu Semiconductor 是首家取得 SuVolta 的 DDC 技术许可的公司。自 2011 年 6 月宣告创建合作关系以来，这两家公司已顺利在 65nm 和 55nm 工艺中应用于 DDC 技术，并超过了所有生产、良率及可靠性拒绝。

　　SuVolta 和 Fujitsu Semiconductor 所已完成的工作对于半导体行业具备最重要的意义，IBS, Inc.(加州洛斯特托斯)的首席执行官 Handel H Jones 博士称之为。通过合作，两家公司已基本构建了对 Fujitsu 的 55nm 工艺技术的升级。与从传统的55nm改变到40nm 或 28nm 工艺比起，用于这种Ultra(DDC)55nm工艺技术可以大大降低生产成本和新的设计时间。

由于当今绝大多数 IC 生产都在 90nm 到 40nm 的工艺下展开，该产品对行业将不会有明显的影响和协助。　　MB86S22AA 是 Milbeaut 图像处理器系列的近期产品，该系列已在从数码单反相机到智能手机的一系列应用于中刷新了较好的业绩记录。Fujitsu Semiconductor 关于 MB86S22AA 图像处理器的新闻公布请求采访：http://jp.fujitsu.com/group/fsl/en/release/20130904-1.html。　　Fujitsu Semiconductor 致力于大大增进高速低能效消费品及移动产品的发展。

近期的一个例子乃是 MB86S22AA Milbeaut 图像处理器，通过融合 SuVolta 的创意技术以及 Fujitsu Semiconductor 所累积的专业知识，该工艺技术以求转入批量生产，Fujitsu Semiconductor Limited 公司的高级副总裁 Amane Inoue 说。通过与 SuVolta 合作发展超低功率的 DDC 晶体管 65nm 和 55nm 工艺，Fujitsu Semiconductor 不但使我们的 ASIC 产品获得了提高，还将增强 COT 客户的设计。

　　Fujitsu Semiconductor 于今日公布的 Milbeaut 芯片证明了使用 DDC 工艺技术在功率性能方面的优势，同时也证明了 DDC 技术的可生产性，SuVolta 总裁兼首席执行官Bruce McWilliams 说道。我们很高兴看见 Fujitsu 利用带入 DDC 技术的较低功率工艺所带给的变革，同时我们也期望其他基于 DDC 晶体管的产品的公布。　　关于 DDC 技术　　凭借来自 SuVolta 的 DDC 技术，设计师将能根据设计拒绝明显增加功耗或很大提升性能。

由于具备还包括增加晶体管阈值电压 (VT) 变化和提升载体迁移率等大量晶体管特性，DDC 技术需要同时增加外泄功耗和军功功耗。　　SuVolta 的技术已被证明需要：　　增加低约 50% 的总功耗，并给定传统晶体管中完全相同电路的运营速度　　提高低约 35% 的运营速度(性能)，并给定常规设计的功耗　　增加低约 50% 的晶体管变异性，提升存储性能和可生产性　　构建卓越的仿真电路性能　　由于 SuVolta 的技术使用了平面(planar bulk)CMOS 工艺，因此可为从 90nm 到较低至次 20nm的基于 CMOS 的逻辑 IC、以及 DRAM 产品获取根本性的功率性能改良。

DDC 技术可在还包括处理器、存储器、以及当今移动系统至关重要的SOC等普遍的IC产品领域为设计师获取很大的灵活性。　　关于 Fujitsu Semiconductor Limited　　Fujitsu Semiconductor Limited 致力于半导体的设计和生产，以及获取最理想且高度可信的解决方案和反对服务，以符合其客户大大变化的市场需求。公司的产品与服务还包括 ASIC/COT、ASSP、以及铁电体存储器 (FRAM)，并在光学、无线、自动化及安全性等应用领域享有普遍的专业知识。

我们还致力于推展功率效率与环保倡议。　　2008 年 3 月 21 日，Fujitsu Semiconductor 作为 Fujitsu Limited 的一家子公司宣告成立，并将总部设于了横滨。通过其全球销售和研发网络，以及遍及日本、乃至整个亚洲、欧洲及美洲的网点，Fujitsu Semiconductor 可向全球市场获取半导体解决方案。　　欲了解更加多信息，请求采访：http://jp.fujitsu.com/fsl/en/　　关于 SuVolta, Inc.　　SuVolta, Inc. 研发并许可用作低功耗、高性能的 IC 芯片的可拓展式半导体技术。

公司座落在美国硅谷，其团队由世界一流的工程师和科学家构成，在通过技术开发和创意前进半导体产业发展方面享有历史悠久的历史。公司受到世界领先的风投公司 Kleiner Perkins Caufield Byers (KPCB)、August Capital、NEA、Bright Capital、Northgate Capital 及 DAG Ventures 的反对。欲了解更加多信息，请求采访www.suvolta.com。　　意欲更进一步理解 SuVolta 的技术，请求采访我们的网站www.suvolta.com/technology/technology-overview/。

　　关于如何提供 SuVolta 技术许可的信息，请求采访www.suvolta.com/sales-inquiry/。　　在 Twitter 上注目我们 @ http://twitter.com/SuVoltaInc。　　媒体联系人：　　公共关系部　　Fujitsu Semiconductor, Limited　　+81(45)-755-7009(直线)　　必要告知：https://www-s.fujitsu.com/jp/group/fsl/en/release/inquiry.html　　SuVolta, Inc.　　Margo Westfall　　营销公关总监　　+1 (408) 429 6058　　mwestfall@suvolta.com　　霍夫曼公关顾问公司　　Steve Jursa　　+1 (408) 975 3029　　sjursa@hoffman.。

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